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【专利】北方华创“一种腔室清洁方法及半导体工艺设备”专利公布;基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公布;一微半导体“一种n倍脉宽扩展电路及脉宽扩展的锁相环系统”专利获授权
近期半导体行业专利动态:北方华创、基本半导体、一微半导体等企业纷纷斩获专利成果。
1. 北方华创:高效腔室清洁技术专利公布
北京北方华创微电子装备有限公司近日公布一项名为“一种腔室清洁方法及半导体工艺设备”的专
利(申请公布号:CN119050039A,申请公布日:2025年11月29日)。该专利提出了一种创新的腔室清洁方法,能够自动移出挡板并执行电荷清洁,显著提高清洁效率并降低人力成本。通过巧妙的设计,该方法有效避免了挡板对清洁效果的影响,确保了静电卡盘残余电荷的彻底清除。
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2. 基本半导体:碳化硅基器件制备方法专利公布
深圳基本半导体有限公司公布了一项关于“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”的专利(申请公布号:CN119049972A,申请公布日:2025年11月29日)。该专利提供了一种新的碳化硅沟槽型MOSFET器件制备方法,有效解决了现有技术中沟槽底部栅氧化层易击穿的问题,提升了器件的可靠性。

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3. 一微半导体:脉宽扩展电路及锁相环系统专利授权
珠海一微半导体股份有限公司近日获得一项“一种n倍脉宽扩展电路及脉宽扩展的锁相环系统”专利授权(授权公告号:CN112202524B,授权公告日:2025年11月29日)。该专利设计了一种结构简单、灵活度高、适应性强的n倍脉宽扩展电路,并将其应用于锁相环系统,显著增强了系统的稳定性。

以上专利技术的取得,标志着中国半导体产业在工艺设备、器件制备和电路设计等领域取得了新的进展,为推动行业技术进步和产业升级提供了强有力的支撑。
以上就是【专利】北方华创“一种腔室清洁方法及半导体工艺设备”专利公布;基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公布;一微半导体“一种n倍脉宽扩展电路及脉宽扩展的锁相环系统”专利获授权的详细内容,更多请关注其它相关文章!
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2025-01-06
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